DMG2301L-7, P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 руб.
Мин. кол-во для заказа 6000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 21000 шт. —
9.10 руб.
Добавить в корзину 6000 шт.
на сумму 60 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Rise Time: | 10 ns |
| Series: | DMG230 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.12Ом |
| Power Dissipation | 1.5Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.12Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 704 КБ
Datasheet DMG2301L-7
pdf, 527 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
