DMN6040SSD-13

Фото 1/4 DMN6040SSD-13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 500 шт.21 руб.
Добавить в корзину 15 шт. на сумму 360 руб.
Посмотреть аналоги10
Номенклатурный номер: 8024054923
Бренд: DIODES INC.

Описание

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

Технические параметры

Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 1.3Вт
Стиль Корпуса Транзистора SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 6.6 A
Maximum Drain Source Resistance 55 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.7 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOIC
Pin Count 8
Transistor Configuration Isolated
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 22.4 nC @ 10 V
Width 3.95mm
Automotive No
Configuration Dual Dual Drain
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 5
Maximum Diode Forward Voltage (V) 1.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 40@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 3
Maximum IDSS (uA) 0.1
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) 20
Maximum Power Dissipation (mW) 1700
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SO
Supplier Package SO
Supplier Temperature Grade Automotive
Typical Fall Time (ns) 4
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 22.4
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 22.4@10V|10.4@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1287@25V
Typical Rise Time (ns) 8.1
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 20.1
Typical Turn-On Delay Time (ns) 6.6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 469 КБ
Datasheet
pdf, 473 КБ
Datasheet DMN6040SSD-13
pdf, 248 КБ