DMP2008UFG-7, Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 руб.
Кратность заказа 2000 шт.
от 4000 шт. —
52 руб.
от 10000 шт. —
47 руб.
Добавить в корзину 2000 шт.
на сумму 106 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.008Ом |
Power Dissipation | 41Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 54А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
Рассеиваемая Мощность | 41Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.008Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerDI 3333 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
Maximum Drain Source Resistance | 17 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 41 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PowerDI3333-8 |
Pin Count | 8 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 4.5 V |
Width | 3.35mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов