DMP2008UFG-7, Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R

Фото 1/3 DMP2008UFG-7, Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
53 руб.
Кратность заказа 2000 шт.
от 4000 шт.52 руб.
от 10000 шт.47 руб.
Добавить в корзину 2000 шт. на сумму 106 000 руб.
Номенклатурный номер: 8003325016
Артикул: DMP2008UFG-7
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.008Ом
Power Dissipation 41Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 4.5В
Напряжение Истока-стока Vds 20В
Непрерывный Ток Стока 54А
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 41Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.008Ом
Стиль Корпуса Транзистора PowerDI 3333
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Channel Mode Enhancement
Maximum Continuous Drain Current 11 A
Maximum Drain Source Resistance 17 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 41 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type PowerDI3333-8
Pin Count 8
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 72 nC @ 4.5 V
Width 3.35mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 255 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов