DMP3085LSD-13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 341 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 14.6 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 5.8 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.9 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.1 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms, 70 mOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | DMP3085 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 95 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Width | 3.95mm |
