DS1230Y-70IND+, Энергонезависимая память, 256 КБ [DIP-28]

Фото 2/5 DS1230Y-70IND+, Энергонезависимая память, 256 КБ [DIP-28]Фото 3/5 DS1230Y-70IND+, Энергонезависимая память, 256 КБ [DIP-28]Фото 4/5 DS1230Y-70IND+, Энергонезависимая память, 256 КБ [DIP-28]Фото 5/5 DS1230Y-70IND+, Энергонезависимая память, 256 КБ [DIP-28]
Фото 1/5 DS1230Y-70IND+, Энергонезависимая память, 256 КБ [DIP-28]
127 шт. со склада г.Москва
540 руб.
от 3 шт.492 руб.
от 30 шт.489 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 7062
Артикул: DS1230Y-70IND+
Производитель: Maxim Integrated Products

Описание

DS1230Y-70IND - это энергонезависимая SRAM объемом 256 КБ в 28-выводном корпусе EDIP. Это 262,144-битная, полностью статическая, энергонезависимая SRAM, организованная как 32,768 слов по 8 бит. NV SRAM имеет автономный литиевый источник энергии и схему управления, которая постоянно контролирует VCC на предмет выхода за пределы допуска. Когда возникает такая ситуация, автоматически включается литиевый источник энергии и безоговорочно включается защита от записи, чтобы предотвратить повреждение данных. Это устройство можно использовать вместо существующих статических RAM 32K x 8, которые напрямую соответствуют популярному 28-контактному DIP-корпусу с байтовым размером. Устройство DIP соответствует разводке контактов 28256 EEPROM, что позволяет выполнять прямую замену при одновременном повышении производительности. Это устройство представляет собой низкопрофильный модульный корпус, специально разработанный для поверхностного монтажа. Не существует ограничений на количество циклов записи, которые могут быть выполнены, и дополнительные схемы поддержки не требуются для взаимодействия с микропроцессором.

• Диапазон напряжения питания от 4,5 В до 5,5 В
• Диапазон рабочих температур от -40 ° C до 85 ° C
• Заменяет энергозависимое статическое ОЗУ 32 КБ x 8, EEPROM или флэш-память
• Без ограничений циклы записи
• КМОП с низким энергопотреблением
• Время доступа для чтения и записи составляет 70 нс
• Литиевый источник энергии отключен, чтобы сохранить свежесть, пока не будет подано питание в первый раз

Технические параметры

Серия ds1230
Тип памяти nvsram
Объем памяти 256 kбит(32k x 8)
Максимальная тактовая частота (скорость) 70 нс
Интерфейс parallel
Напряжение питания, В 4.5…5.5
Рабочая температура, °C -40…+85
Корпус dip-28 module(15.24мм)
Напряжение питания 4.5…5.5 в
Рабочая температура -40…+85 гр.c
Вес, г 14

Техническая документация

DS1230Y70
pdf, 216 КБ
Datasheet
pdf, 216 КБ
Datasheet
pdf, 289 КБ
Datasheet
pdf, 205 КБ
Datasheet DS1230Y-70IND+
pdf, 209 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах