DTA114YU3HZGT106, DTA114YU3HZGT106 PNP Digital Transistor, 100 mA, -50 V, 3-Pin SOT-323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2900 шт., срок 7 недель
97 руб.
Кратность заказа 25 шт.
от 100 шт. —
56 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 2 425 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
The ROHM leak absorption type digital transistor is a digital transistor, built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Type | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходное напряжение | 100 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 70 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 70 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 4.7 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 68hFE |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-323 |
| Линейка Продукции | DTA114Y Series |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -50В |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | -100мА |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 0.21соотношение |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet DTA114YU3HZGT106
pdf, 1068 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
