DTC114TET1G, DTC114TET1G NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SOT-416
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 руб.
Кратность заказа 250 шт.
Добавить в корзину 250 шт.
на сумму 2 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-416(SC-75) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Typical Input Resistor | 10 kΩ |
Typical Resistor Ratio | None |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.21.00.95 |
Type | NPN |
Configuration | Single |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
Minimum DC Current Gain | 160@5mA@10V |
Typical Input Resistor (kOhm) | 10 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@1mA@10mA |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Supplier Package | SOT-416 |
Standard Package Name | SOT |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.75 |
Package Length | 1.6 |
Package Width | 0.8 |
PCB changed | 3 |
Lead Shape | Gull-wing |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.75 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DTC114TE |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-416-3 |
Ширина | 0.8 mm |
Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 160hFE |
Power Dissipation | 300мВт |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Корпус РЧ Транзистора | SC-75 |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
Стиль Корпуса Транзистора | SC-75 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |