EM6K7T2CR, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 20 В, 20 В, 200 мА, 200 мА, 0.8 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9930 шт., срок 8-10 недель
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
89 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 3 200 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.8Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.8Ом |
| Power Dissipation N Channel | 150мВт |
| Power Dissipation P Channel | 150мВт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 2.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 200мА |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 200мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 200мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.8Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Fall Time | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOT-563-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
| Rise Time | 10 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet EM6K7T2CR
pdf, 2545 КБ
Datasheet EM6K7T2R
pdf, 1437 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
