FDD8896, Транзистор N-MOSFET 30В 94A 80Вт [TO-252-3]

FDD8896, Транзистор N-MOSFET 30В 94A 80Вт [TO-252-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2149 шт. со склада г.Москва
37 руб.
от 100 шт.33 руб.
1 шт. на сумму 37 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги5
Номенклатурный номер: 9001169204
Артикул: FDD8896
PartNumber: UMW FDD8896

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 94
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 47 мОм/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 80
Корпус dpak
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet FDD8896
pdf, 551 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.