FDMA1028NZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы PowerTrench®
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
onsemi / Fairchild МОП-транзисторы PowerTrench® предлагают широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов в отрасли. Эти полевые МОП-транзисторы предлагают версии с N-каналом и P-каналом, которые оптимизированы для работы и надежности переключения с низким R DS (ON). Типичные приложения включают переключатели нагрузки, первичное переключение, мобильные вычисления, преобразователи постоянного тока в постоянный и синхронные выпрямители.
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.7 |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 3.7 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 68@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Resistance (Ohm) | 25 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.5 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 173 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 12 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1400 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 1.4 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 6 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 0.6 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 6 |
| Pin Count | 6 |
| PPAP | No |
| Process Technology | PowerTrench |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | DFN |
| Supplier Package | WDFN EP |
| Typical Fall Time (ns) | 3 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 4@4.5V |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 1.8 |
| Typical Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 1.1 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 0.7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 340@10V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 80 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 60@10V |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.7 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | MicroFET-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Qg - Gate Charge: | 4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 37 mOhms |
| Rise Time: | 8 ns |
| Series: | FDMA1028NZ |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
