FDN306P, Транзистор P-MOSFET 12В 2.6А 0.5Вт [SOT-23-3]

FDN306P, Транзистор P-MOSFET 12В 2.6А 0.5Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2489 шт. со склада г.Москва
9 руб.
от 100 шт.8 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 руб.
Номенклатурный номер: 9001169203
Артикул: FDN306P
PartNumber: UMW FDN306P

Описание

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 90мОм

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 30 мОм/2.6, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 10
Корпус SOT-23-3
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet FDN306P
pdf, 463 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.