FDN339AN, Транзистор P-MOSFET 20В 3А 0.5Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2825 шт. со склада г.Москва
9 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 руб.
Номенклатурный номер: 9001231135
Артикул: FDN339AN
PartNumber: UMW FDN339AN
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 29 мОм/3A, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 | |
Крутизна характеристики, S | 11 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | 0.4…1.5 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet UMW FDN339
pdf, 437 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.