FDN339AN, Транзистор P-MOSFET 20В 3А 0.5Вт [SOT-23-3]

FDN339AN, Транзистор P-MOSFET 20В 3А 0.5Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2825 шт. со склада г.Москва
9 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 руб.
Номенклатурный номер: 9001231135
Артикул: FDN339AN
PartNumber: UMW FDN339AN

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 29 мОм/3A, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 11
Корпус SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе 0.4…1.5
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet UMW FDN339
pdf, 437 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.