FDN5630, Транзистор N-MOSFET 60В 4А 1.66Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3867 шт. со склада г.Москва
11 руб.
от 100 шт. —
10 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9001169201
Артикул: FDN5630
PartNumber: UMW FDN5630
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 47 мОм/35А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.66 | |
Крутизна характеристики, S | 5 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet FDN5630
pdf, 895 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.