FDN5630, Транзистор N-MOSFET 60В 4А 1.66Вт [SOT-23-3]

FDN5630, Транзистор N-MOSFET 60В 4А 1.66Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3867 шт. со склада г.Москва
11 руб.
от 100 шт.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 11 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9001169201
Артикул: FDN5630
PartNumber: UMW FDN5630

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 47 мОм/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.66
Крутизна характеристики, S 5
Корпус SOT-23-3
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet FDN5630
pdf, 895 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.