FDP20N50F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
400 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
МОП-транзистор 500V N-Channel
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Qg - заряд затвора | 65 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 120 ns |
Время спада | 60 ns |
Высота | 16.3 mm |
Длина | 10.67 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | UniFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FDP20N50F |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 100 ns |
Типичное время задержки при включении | 45 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |