FDS6679AZ, Транзистор P-MOSFET 30В 13.5А 2.7Вт [SOP-8]

FDS6679AZ, Транзистор P-MOSFET 30В 13.5А 2.7Вт [SOP-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2886 шт. со склада г.Москва
46 руб.
от 100 шт.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 46 руб.
Номенклатурный номер: 9001169200
Артикул: FDS6679AZ
PartNumber: UMW FDS6679AZ

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 11 мОм/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.7
Крутизна характеристики, S 28
Корпус SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе 1.4…2.5
Вес, г 0.15

Техническая документация

UMW FDS6679AZ
pdf, 275 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.