FF1800R12IE5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 1.8 кА, 1.7 В, 175 °C, Module

Фото 1/2 FF1800R12IE5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 1.8 кА, 1.7 В, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
234 900 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 234 900 руб.
Номенклатурный номер: 8004186101
Артикул: FF1800R12IE5PBPSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon PrimePack dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT5 and .XT interconnection technology. It has collector emitter voltage of 1800 V.

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 1.8кА
DC Ток Коллектора 1.8кА
Выводы БТИЗ Tab
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции PrimePACK 3+B
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 5(Trench/Field Stop)
Channel Type N
Configuration Dual
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 1.8 kA
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Number of Transistors 2
Package Type PRIME3+
Pin Count 10
Transistor Configuration Dual
Вес, г 20

Техническая документация

Datasheet
pdf, 814 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов