FF2MR12KM1PHOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 500 А, 1.2 кВ, 0.00213 Ом, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
191 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 191 300 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Модуль силовой SiC MOSFET сдвоенный N-канальный 1200В лоток
Технические параметры
| Channel Type | Dual N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.00213Ом |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Линейка Продукции | CoolSiC C Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 500А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00213Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Вес, г | 366.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 707 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
