FF300R17KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 404 А, 2 В, 1.45 кВт, 125 °C, Module

FF300R17KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 404 А, 2 В, 1.45 кВт, 125 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
58 250 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 58 250 руб.
Номенклатурный номер: 8000496656
Артикул: FF300R17KE3HOSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

FF300R17KE3, SP000100776

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 404А
DC Ток Коллектора 404А
Power Dissipation 1.45кВт
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual
Линейка Продукции 62mm C
Максимальная Рабочая Температура 125 C
Максимальная Температура Перехода Tj 125 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 1.45кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Base Product Number FF300R17 ->
Configuration 2 Independent
Current - Collector Cutoff (Max) 3mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 27nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40В°C ~ 125В°C
Package Bulk
Package / Case Module
Power - Max 1450W
REACH Status REACH Unaffected
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 300A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Вес, г 0.34

Техническая документация

Datasheet
pdf, 652 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов