FF450R12ME7B11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 450 А, 1.5 В, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
58 050 руб.
от 5 шт. —
53 940 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 58 050 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon has EconoDUAL 1200 V, 450 A dual TRENCHSTOP IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Технические параметры
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 450 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Number of Transistors | 2 |
| Package Type | AG-ECONOD |
| Transistor Configuration | Series |
| Вес, г | 20 |
Техническая документация
Datasheet FF450R12ME7B11BPSA1
pdf, 576 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
