FF600R07ME4BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 600 А, 1.55 В, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 810 руб.
от 5 шт. —
33 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 39 810 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
FF600R07ME4, SP000840484
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 600А |
| DC Ток Коллектора | 600А |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 600 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | FF600R07ME4 SP000840484 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Series: | Trenchstop IGBT4-E4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Tradename: | TRENCHSTOP EconoDUAL PressFIT |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Package Type | AG-ECONOD-411 |
| Вес, г | 410.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
