FF600R12KE4EBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, Common Emitter, 600 А, 1.75 В, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

71 450 руб.

от 5 шт. — 66 400 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 71 450 руб.

Номенклатурный номер: 8000899411

Артикул: FF600R12KE4EBOSA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Collector Emitter Saturation Voltage	1.75В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	600А
DC Ток Коллектора	600А
Выводы БТИЗ	Stud
Количество Выводов	7вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ	Dual, Common Emitter
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.75В
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Другие названия товара №	FF600R12KE4_E SP001500374
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	10
Тип продукта	IGBT Modules
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Channel Type	N
Configuration	Common Emitter
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	600 A
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	20 mW
Number of Transistors	2
Package Type	62 mm
Pin Count	7
Transistor Configuration	Common Emitter
Вес, г	0.36