FFSD08120A, 1200V 22.5A, SiC Schottky Diode, 3-Pin DPAK FFSD08120A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 170 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability to silicon.
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | SiC Schottky |
| Diode Type | SiC Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 22.5A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 530A |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
| Pin Count | 3 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Average Forward Current | 8А |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.2кВ |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 55нКл |
| Стиль Корпуса Диода | TO-252 |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
