FFSP2065B, Карбидокремниевый диод Шоттки, EliteSiC, Одиночный, 650 В, 20 А, 51 нКл, TO-220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
1 220 руб.
от 10 шт. —
1 140 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 580 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки\Диоды - Карбидокремниевые Шоттки
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon.
Технические параметры
| Конфигурация диода | Одиночный | |
| Average Forward Current | 20А | |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В | |
| Количество Выводов | 2 Вывода | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 51нКл | |
| Стиль Корпуса Диода | TO-220 | |
| Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие | |
| Diode Configuration | Single | |
| Diode Technology | SiC Schottky | |
| Diode Type | SiC Schottky | |
| Maximum Continuous Forward Current | 22.5A | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 882A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V | |
| Pin Count | 2 | |
| Rectifier Type | Schottky Diode | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 262 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
Похожие товары
