FFSPF1065A, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 10 А, 34 нКл, TO-220FP

Фото 1/3 FFSPF1065A, Карбидокремниевый диод Шоттки, Одиночный, 650 В, 10 А, 34 нКл, TO-220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
960 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.900 руб.
от 100 шт.735 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 2 880 руб.
Номенклатурный номер: 8000641105
Артикул: FFSPF1065A

Описание

Полупроводники - Дискретные\Диоды\Диоды Шоттки\Диоды - Карбидокремниевые Шоттки

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

• Max Junction Temperature 175°C
• AEC-Q101 qualified
• Avalanche Rated 200 mJ
• No Reverse Recovery/No Forward Recovery
• Ease of Paralleling
• High Surge Current Capacity
• Positive Temperature Coefficient

Технические параметры

Конфигурация диода Одиночный
Average Forward Current 10А
Repetitive Peak Reverse Voltage 650В
Количество Выводов 2 Вывода
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Полный Емкостной Заряд Qc 34нКл
Стиль Корпуса Диода TO-220FP
Тип Монтажа Диода Сквозное Отверстие
Configuration Single
Forward Current 10000(mA)
Forward Voltage 1.75(V)
Maximum Forward Current 10000(mA)
Mounting Through Hole
Operating Temp Range -55C to 175C
Operating Temperature Classification Military
Package Type TO-220F
Packaging Rail/Tube
Peak Forward Voltage 1.75(V)
Peak Non-Repetitive Surge Current 56(A)
Peak Rep Rev Volt 650(V)
Peak Reverse Current 200(uA)
Pin Count 2+Tab
Power Dissipation (Max) 38000(mW)
Product Depth (mm) 4.7(mm)
Rad Hardened No
Rectifier Type Schottky Diode
Rev Curr 200(uA)
Diode Configuration Single
Diode Technology SiC Schottky
Diode Type SiC Schottky
Maximum Continuous Forward Current 10A
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current 720A
Peak Reverse Repetitive Voltage 650V
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 212 КБ
Datasheet FFSPF1065A
pdf, 158 КБ
Документация
pdf, 230 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов