FJP5027OTU, Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 3 А, 50 Вт, TO-220, Through Hole

FJP5027OTU, Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 3 А, 50 Вт, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
370 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт.340 руб.
от 100 шт.251 руб.
Добавить в корзину 7 шт. на сумму 2 590 руб.
Номенклатурный номер: 8001631195
Артикул: FJP5027OTU

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 800В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 20hFE
DC Усиление Тока hFE 20hFE
Power Dissipation 50Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 15МГц
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet FJP5027OTU
pdf, 240 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов