FJP5027OTU, Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 3 А, 50 Вт, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
251 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 590 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 800В |
Continuous Collector Current | 3А |
DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
Power Dissipation | 50Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 15МГц |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet FJP5027OTU
pdf, 240 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов