FM25V10-GTR, Ферроэлектрическая RAM (FRAM), 1МБ, 128К х 8бит, SPI, 40МГц, 2В до 3.6В, SOIC-8

Фото 1/5 FM25V10-GTR, Ферроэлектрическая RAM (FRAM), 1МБ, 128К х 8бит, SPI, 40МГц, 2В до 3.6В, SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 180 руб.
от 10 шт.2 850 руб.
от 25 шт.2 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 180 руб.
Номенклатурный номер: 8000370711
Артикул: FM25V10-GTR

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\Ферроэлектрическая RAM - FRAM
Описание Микросхема, память FRAM, SPI, 128Кx8бит, 2-3,6ВDC, 40МГц, SO8 Характеристики
Категория Микросхема
Тип памяти
Вид FRAM

Технические параметры

Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 85 C
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальная Рабочая Температура -40 C
Минимальное Напряжение Питания
Организация Памяти 128К x 8бит
Размер Памяти 1МБ
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
Тактовая Частота 40МГц
Тип Интерфейса ИС SPI
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Interface Type SPI
Manufacturer Cypress Semicon
Memory Format FRAM
Memory Size 1Mb(128K x 8)
Memory Type Non-Volatile
Operating Supply Voltage 2V ~ 3.6V
Package / Case SOIC-8_150mil
Packaging Tape и Reel(TR)
Вес, г 1.87

Техническая документация

Datasheet FM25V10-G
pdf, 2492 КБ
Datasheet FM25V10-GTR
pdf, 803 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем