FM25V10-GTR, Ферроэлектрическая RAM (FRAM), 1МБ, 128К х 8бит, SPI, 40МГц, 2В до 3.6В, SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 180 руб.
от 10 шт. —
2 850 руб.
от 25 шт. —
2 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 180 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\Ферроэлектрическая RAM - FRAM
Описание Микросхема, память FRAM, SPI, 128Кx8бит, 2-3,6ВDC, 40МГц, SO8 Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | памяти |
Вид | FRAM |
Технические параметры
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Минимальное Напряжение Питания | 2В |
Организация Памяти | 128К x 8бит |
Размер Памяти | 1МБ |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | SOIC |
Тактовая Частота | 40МГц |
Тип Интерфейса ИС | SPI |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Interface Type | SPI |
Manufacturer | Cypress Semicon |
Memory Format | FRAM |
Memory Size | 1Mb(128K x 8) |
Memory Type | Non-Volatile |
Operating Supply Voltage | 2V ~ 3.6V |
Package / Case | SOIC-8_150mil |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Вес, г | 1.87 |
Техническая документация
Datasheet FM25V10-G
pdf, 2492 КБ
Datasheet FM25V10-GTR
pdf, 803 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем