Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Микросхемы памяти › Cypress › FM25W256-G, NVRAM, FRAM, 256 Кбит ...

FM25W256-G, NVRAM, FRAM, 256 Кбит, 32К x 8бит, SPI, SOIC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 090 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 1 880 руб.

от 25 шт. — 1 820 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 4 180 руб.

Альтернативные предложения1

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 8008325912

Артикул: FM25W256-G

Бренд: Cypress Semiconductor

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\Энергонезависимая RAM

FM25W256-G является SPI FRAM памятью 256КБ (32К × 8бит) в 8-выводном корпусе SOIC. Эта энергонезависимая память считывает и записывает данные, как и RAM. Она обеспечивает надежное сохранение данных в течение 151 года, устраняя сложности, накладные и системные проблемы, вызванные последовательной Flash, EEPROM и другими энергонезависимыми запоминающими устройствами. В отличие от последовательной Flash и EEPROM, FM25W256 производит операции записи на скорости шины. Без задержек при записи. Данные записываются в массив памяти сразу же после успешного переноса каждого байта на устройство. Следующий цикл шины может начаться без необходимости опроса данных. Кроме того, устройство обеспечивает значительную долговечность записи по сравнению с другими энергонезависимыми запоминающими устройствами. FM25W256 предоставляет существенные преимущества для пользователей в качестве замены EEPROM или Flash памяти.

• Высокий уровень выносливости 100 триллионов (10^14) циклов чтения/записи
• Соответствует автомобильному классу AEC-Q100
• Усовершенствованный сегнетоэлектрический процесс с высокой надежностью
• Частота до 20МГц
• Сложная схема защиты от записи
• Низкое энергопотребление
• Активный ток 250мкА при 1МГц
• Типичное значение тока ожидания 15мкА
• Широкий диапазон рабочего напряжения от 2.7В до 5.5В
• Диапазон рабочей температуры от -40°C до 85°C

Технические параметры

Тип памяти	FRAM
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM	32К x 8бит
Линейка Продукции	PW Series
Максимальная Рабочая Температура	85°C
Максимальное Напряжение Питания	5.5В
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Минимальное Напряжение Питания	2.7В
Размер Памяти	256Кбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти	SOIC
Тип Интерфейса ИС	SPI
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3-168 часов
Длина	4.97мм
Минимальное рабочее напряжение питания	2.7 V
Производитель	Cypress Semiconductor
Объем памяти	256Кбит
Тип корпуса	SOIC
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	3.98мм
Организация	32К x 8 бит
Высота	1.48мм
Максимальное рабочее напряжение питания	5.5 V
Число контактов	8
Размеры	4.97 x 3.98 x 1.48мм
Тип интерфейса	SPI
Количество слов	32K
Количество бит на слово	8бит
Brand:	Infineon Technologies
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1940
Interface Type:	SPI
Manufacturer:	Infineon
Maximum Operating Temperature:	+85 C
Memory Size:	256 kbit
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Moisture Sensitive:	Yes
Mounting Style:	SMD/SMT
Operating Supply Voltage:	3.3 V
Organization:	32 k x 8
Package / Case:	SOIC-8
Packaging:	Tube
Product Category:	F-RAM
Product Type:	FRAM
Series:	FM25W256-G
Subcategory:	Memory & Data Storage
Supply Voltage - Max:	5.5 V
Supply Voltage - Min:	2.7 V
Automotive Standard	AEC-Q100
Data Bus Width	8bit
Interface Type	SPI
Maximum Operating Supply Voltage	5.5 V
Maximum Operating Temperature	+85 °C
Maximum Random Access Time	20ns
Memory Size	256kbit
Minimum Operating Supply Voltage	2.7 V
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Bits per Word	8bit
Number of Words	32k
Organisation	32K x 8 bit
Package Type	SOIC
Pin Count	8
Width	3.98mm
Диапазон рабочих температур	-40…+85 °С
Напряжение питания	2.7…5.5(max); Uраб.-3…5 В
Описание	256-Kbit(32K × 8)Serial(SPI)F-RAM
Память	FRAM 256 Кбит
Потребляемый ток	250(при 1 МГц)мкА
Тип	М/с памяти серии FM25W256-G
Упаковка	REEL
Частота	20(max)МГц
Вес, г	0.163