FMBM5551, FMBM5551 Dual NPN Transistor, 600 mA, 160 V, 6-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 2 100 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V |
Maximum DC Collector Current | 600 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 700 mW |
Minimum DC Current Gain | 80 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Type | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Другие названия товара № | FMBM5551_NL |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FMBM5551 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка / блок | SuperSOT-6 |
Ширина | 1.7 mm |
Вес, г | 12 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов