FOD8143SD

Фото 1/2 FOD8143SD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.170 руб.
от 10 шт.139 руб.
от 25 шт.124.87 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 460 руб.
Номенклатурный номер: 8002985072

Описание

Электроэлемент
The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a

Технические параметры

Collector Current (DC) 0.05(A)
Current Transfer Ratio 300(%)
Fall Time 18000(ns)
Forward Current 50(mA)
Forward Voltage 1.4(V)
Input Type AC
Isolation Voltage 5000(V)
Maximum Forward Current 50(mA)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 105C
Operating Temperature Classification INDUSTRIALC
Output Device Transistor
Output Type DC
Package Type PDIP SMD Black
Packaging Tape and Reel
Pin Count 4
Power Dissipation 0.2(W)
Rad Hardened No
Rise Time 18000(ns)
Standard CUL/UL/VDE
If - прямой ток 50 mA
Pd - рассеивание мощности 200 mW
Vf - прямое напряжение 1.4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 18 us
Время спада 18 us
Высота 4 mm
Длина 5.1 mm
Категория продукта Транзисторные выходные оптопары
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация 1 Channel
Коэффициент передачи по току 300 %
Максимальная рабочая температура + 105 C
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 70 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.2 V
Максимальный коллекторный ток 50 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение изоляции 5000 Vrms
Подкатегория Optocouplers
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FOD814
Тип выхода NPN Phototransistor
Тип продукта Transistor Output Optocouplers
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок SMD-4
Ширина 7 mm
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Линейка Продукции FOD814
Максимальный Прямой Ток 50мА
Мин. CTR 20%
Напряжение Коллектор-Эмиттер 70В
Стиль Корпуса Оптопары Поверхностный Монтаж DIP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 528 КБ
Datasheet
pdf, 533 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Оптопары с транзисторным и диодным выходом»