FP15R12KE3GBPSA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 25A, 105W
![Фото 1/2 FP15R12KE3GBPSA1, IGBT MODULE, 1.2KV, 25A, 105W](https://static.chipdip.ru/lib/707/DOC011707675.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/825/DOC044825748.jpg)
20 370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 20 370 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon EconoPIM 2 1200V three phase PIM IGBT module with IGBT3 and NTC is optimized customers development cycle time and cost, its fast, reliable and low cost mounting concept.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 25А |
DC Ток Коллектора | 25А |
Power Dissipation | 105Вт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
Линейка Продукции | EconoPIM 2 |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 105Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 105 W |
Package Type | AG-ECONO2C-311 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 563 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары