FP15R12W1T4BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 28 А, 1.85 В, 130 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 220 руб.
от 5 шт. —
8 690 руб.
от 10 шт. —
8 060 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 220 руб.
Описание
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 28 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Number of Transistors | 7 |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet FP15R12W1T4BOMA1
pdf, 955 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![FS35R12W1T7B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 35 А, 1.6 В, 175 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/746/DOC028746080.jpg)
