FP25R12W2T7B11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM, 25 А, 1.6 В, 175 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

11 550 руб.

от 5 шт. — 10 670 руб.

от 10 шт. — 9 420 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 11 550 руб.

Номенклатурный номер: 8004164840

Артикул: FP25R12W2T7B11BPSA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

The Infineon 25 A PIM IGBT module has compact design and used PRESSFIT contact technology. It has low on state voltage VCEsat.

Collector Emitter Saturation Voltage	1.6В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	25А
DC Ток Коллектора	25А
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM
Линейка Продукции	EasyPIM TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.6В
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 7(Trench/Field Stop)
Channel Type	N
Configuration	Hex
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	25 A
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	20 mW
Number of Transistors	7
Package Type	EasyPIM
Pin Count	23
Вес, г	10

pdf, 858 КБ

Мы рекомендуем