FP35R12W2T4PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 35 А, 1.85 В, 150 °C, Module

Фото 1/2 FP35R12W2T4PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 35 А, 1.85 В, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
14 390 руб.
от 5 шт.13 020 руб.
от 10 шт.12 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 390 руб.
Номенклатурный номер: 8002440829
Артикул: FP35R12W2T4PBPSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

FP35R12W2T4P, SP001585174

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 35А
DC Ток Коллектора 35А
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EasyPIM 2B
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Максимальная Температура Перехода Tj 150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Полярность Транзистора Шесть N Каналов
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)
Base Product Number FP35R12 ->
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Three Phase Bridge Rectifier
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C
Package Tray
Package / Case Module
Power - Max 20mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EasyPIMв„ў 2B ->
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Вес, г 0.36

Техническая документация

Datasheet
pdf, 795 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов