FP35R12W2T7B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM, 35 А, 1.6 В, 175 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

13 430 руб.

от 5 шт. — 12 300 руб.

от 10 шт. — 11 960 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 13 430 руб.

Номенклатурный номер: 8004139147

Артикул: FP35R12W2T7B11BOMA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Collector Emitter Saturation Voltage	1.6В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	35А
DC Ток Коллектора	35А
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	PIM
Линейка Продукции	EasyPIM TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Максимальная Температура Перехода Tj	175°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.6В
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 7(Trench/Field Stop)
Другие названия товара №	FP35R12W2T7_B11 SP001783588
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP ~ EasyPIM
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	15
Серия	Trenchstop IGBT7
Тип продукта	IGBT Modules
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	35 A
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	20 mW
Package Type	AG-EASY2B
Transistor Configuration	Common Emitter
Вес, г	10