FP40R12KE3GBOSA1, IGBT модуль 1200В 40А

Фото 2/3 FP40R12KE3GBOSA1, IGBT модуль 1200В 40АФото 3/3 FP40R12KE3GBOSA1, IGBT модуль 1200В 40А
Фото 1/3 FP40R12KE3GBOSA1, IGBT модуль 1200В 40А
2 шт. со склада г.Москва
16 910 руб.
от 2 шт.16 260 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16 910 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000432937
Артикул: FP40R12KE3GBOSA1
Страна происхождения: ВЕНГРИЯ
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Модули IGBT, Infineon
Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц. БТИЗ охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT № 146 можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +125 °C
Длина 122мм
Transistor Configuration Трехфазный
Производитель Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 55 А
Тип корпуса Econo3
Максимальное рассеяние мощности 210 Вт
Тип монтажа Монтаж на печатную плату
Минимальная рабочая температура -40 °C
Ширина 62мм
Высота 17мм
Число контактов 35
Размеры 122 x 62 x 17мм
Скорость переключения 1МГц
Конфигурация 3-фазный мост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Вес, г 0.308

Техническая документация

FP40R12KE3G
pdf, 639 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах