FP40R12KE3GBOSA1, FP40R12KE3GBOSA1 3 Phase Bridge IGBT Module, 55 A 1200 V, 35-Pin Econo3, PCB Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
39 760 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 397 600 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 55 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Package Type | Econo3 |
| Pin Count | 35 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Base Product Number | FP40R12 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 125В°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 210W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
