FQAF11N90C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 руб.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.91Ом |
Power Dissipation | 120Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | QFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 900В |
Непрерывный Ток Стока | 7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 120Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.91Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PF |
Техническая документация
Datasheet FQAF11N90C
pdf, 940 КБ
fqaf11n90c-d
pdf, 941 КБ