FQD18N20V2TM, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 5 шт. —
100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 9,75А, 83Вт, DPAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Drain current | 9.75A |
| Drain-source voltage | 200V |
| Gate charge | 26nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.14Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 83W |
| Technology | QFET® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 885 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
