FQPF10N20C, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 9.5 А, 0.29 Ом, TO-220F, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

350 руб.

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

от 10 шт. — 310 руб.

от 100 шт. — 232 руб.

Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 800 руб.

Номенклатурный номер: 8311080717

Артикул: FQPF10N20C

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 6А, 38Вт, TO220FP Характеристики

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	9.5 A
Maximum Drain Source Resistance	360 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	38 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220F
Pin Count	3
Series	QFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	20 nC @ 10 V
Width	4.7mm
Вес, г	6.804