FS200R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 280 А, 1.75 В, 1 кВт, 150 °C, Module
![Фото 1/2 FS200R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 280 А, 1.75 В, 1 кВт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/296/DOC005296257.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 920 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 68 920 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The infineon IGBT module with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode and press FIT / NTC it is use in high power converters, motor drives, traction drives, ups systems etc.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 280А |
| DC Ток Коллектора | 280А |
| Power Dissipation | 1кВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
| Линейка Продукции | EconoPACK 4 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Полярность Транзистора | Шесть N Каналов |
| Рассеиваемая Мощность | 1кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 280 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 1 kW |
| Number of Transistors | 6 |
| Package Type | EconoPACK |
| Вес, г | 0.31 |
Техническая документация
Datasheet FS200R12PT4BOSA1
pdf, 811 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
