FS30R06W1E3BOMA1, TRANSISTOR, IGBT MODULE, 600V, 45A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 500 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 45А |
DC Ток Коллектора | 45А |
Power Dissipation | 150Вт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack(Full Bridge) |
Линейка Продукции | EasyPACK |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Вес, г | 0.308 |
Техническая документация
Datasheet FS30R06W1E3BOMA1
pdf, 774 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов