FS45MR12W1M1B11BOMA1, Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Six N Channel, 25 А, 1.2 кВ, 0.045 Ом, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

36 480 руб.

от 5 шт. — 33 990 руб.

от 10 шт. — 31 570 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 36 480 руб.

Номенклатурный номер: 8000886312

Артикул: FS45MR12W1M1B11BOMA1

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Channel Type	Six N Channel
Drain Source On State Resistance	0.045Ом
Power Dissipation	20мВт
Конфигурация МОП-транзистора	Full Bridge
Линейка Продукции	EasyPACK CoolsiC Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	25А
Полярность Транзистора	Шесть N Каналов
Пороговое Напряжение Vgs	4.5В
Рассеиваемая Мощность	20мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.045Ом
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Вес, г	0.36

pdf, 558 КБ

Мы рекомендуем