FS50R12W1T7B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 50 А, 1.5 В, 175 °C, Module

Фото 1/2 FS50R12W1T7B11BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 50 А, 1.5 В, 175 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
14 300 руб.
от 5 шт.12 500 руб.
от 10 шт.11 530 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 300 руб.
Номенклатурный номер: 8002860362
Артикул: FS50R12W1T7B11BOMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 50А
DC Ток Коллектора 50А
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Six Pack(Full Bridge)
Линейка Продукции EasyPACK
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.5В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 7(Trench/Field Stop)
Другие названия товара № FS50R12W1T7_B11 SP002952274
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP ~ EasyPACK
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 24
Серия Trenchstop IGBT7
Тип продукта IGBT Modules
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Channel Type N
Configuration Common Emitter
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 50 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 20 mW
Mounting Type Panel Mount
Number of Transistors 6
Вес, г 40

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов