FZ400R12KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Switch, 650 А, 1.7 В, 2.25 кВт, 125 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 670 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 36 670 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 650А |
DC Ток Коллектора | 650А |
Power Dissipation | 2.25кВт |
Выводы БТИЗ | Tab |
Конфигурация БТИЗ | Single Switch |
Линейка Продукции | Standard 62mm |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 125°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 2.25кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 650 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Maximum Power Dissipation | 2.25 kW |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Panel Mount |
Package Type | 62MM Module |
Pin Count | 5 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, кг | 1.2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов