FZ400R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Switch, 510 А, 3.2 В, 2.5 кВт, 125 °C, Module

FZ400R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Switch, 510 А, 3.2 В, 2.5 кВт, 125 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
38 400 руб.
от 5 шт.34 940 руб.
от 10 шт.31 470 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 38 400 руб.
Номенклатурный номер: 8000100082
Артикул: FZ400R12KS4HOSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

FZ400R12KS4, SP000100708

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 3.2В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 510А
DC Ток Коллектора 510А
Power Dissipation 2.5кВт
Выводы БТИЗ Tab
Конфигурация БТИЗ Single Switch
Линейка Продукции Standard 62mm C
Максимальная Рабочая Температура 125 C
Максимальная Температура Перехода Tj 125 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 3.2В
Полярность Транзистора N Канал
Рассеиваемая Мощность 2.5кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 2 Fast
Вес, г 3.37

Техническая документация

Datasheet
pdf, 138 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов