FZT696BTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
158 руб.
от 50 шт. —
138.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, 180V, 500mA, 2W, SOT-223, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:180V, Transition Frequency ft:70MHz, Power Dissipation Pd:2W, DC Collector Current:500mA, DC Current Gain hFE:500hFE , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Высота: | 1.65 mm |
| Длина: | 6.7 mm |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 150 at 200 mA, 5 V |
| Конфигурация: | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 500 |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 1 A |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 180 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 180 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 250 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 0.5 A |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 130 MHz |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Серия: | FZT696 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка: | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок: | SOT-223-4 |
| Ширина: | 3.7 mm |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 0.9 V |
| Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
| Maximum Collector Cut-off Current | 0.1µA |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.25 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 180 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 500 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 150 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Width | 3.55mm |
