FZT751, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А, 2 Вт, SOT-223, Surface Mount
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 100 шт. —
154 руб.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 2 640 руб.
Описание
SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | - |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | - |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Transistor Type | - |
Transition Frequency (fT) | - |
Lead Finish | Matte Tin |
Max Processing Temp | 260 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.25@100mA@1A V |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.3@100mA@1AI0.6@300mA@3A V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum DC Collector Current | 3 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Power Dissipation | 2000 mW |
Minimum DC Current Gain | 70@50mA@2VI100@500mA@2VI80@1A@2VI40@2A@2V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
Type | PNP |
Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1083 КБ
Datasheet FZT751
pdf, 577 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов