G3R160MT17D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 21 А, 1.7 кВ, 0.16 Ом, TO-247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1689 шт., срок 7-9 недель

3 250 руб.

от 5 шт. — 2 960 руб.

от 10 шт. — 2 730 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 250 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007311613

Артикул: G3R160MT17D

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.16Ом
Power Dissipation	175Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.7кВ
Непрерывный Ток Стока	21А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.7В
Рассеиваемая Мощность	175Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.16Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	1.39

pdf, 1071 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем