G3R75MT12D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 А, 1.2 кВ, 0.075 Ом, TO-247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1413 шт., срок 7-9 недель

2 700 руб.

от 5 шт. — 2 460 руб.

от 10 шт. — 2 260 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 700 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8007344077

Артикул: G3R75MT12D

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.075Ом
Power Dissipation	207Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	G3R
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	41А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.69В
Рассеиваемая Мощность	207Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.075Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	1.39