GAN041-650WSBQ, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 В, 47.2 А, 0.041 Ом, 22 нКл, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
564 шт., срок 8-10 недель
4 390 руб.
от 5 шт. —
4 070 руб.
от 10 шт. —
3 900 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 390 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы на Основе Нитрида Галлия (GaN)
The Nexperia Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies offering superior reliability and performance.
Технические параметры
| Drain Source On State Resistance | 0.041Ом |
| On Resistance Rds(on) Max | 0.041Ом |
| Заряд затвора, типовой (Qg) | 22нКл |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 47.2А |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Maximum Continuous Drain Current | 47.2 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Вес, г | 4.75 |
Техническая документация
Datasheet GAN041-650WSBQ
pdf, 310 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
