GD100FFX65C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 130 А, 1.45 В, 331 Вт, 150 °C

GD100FFX65C5S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase Full Bridge, 130 А, 1.45 В, 331 Вт, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
22 370 руб.
от 5 шт.20 900 руб.
от 10 шт.19 470 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 22 370 руб.
Номенклатурный номер: 8007248971
Артикул: GD100FFX65C5S
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.45В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 130А
DC Ток Коллектора 130А
Power Dissipation 331Вт
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Three Phase Full Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.45В
Рассеиваемая Мощность 331Вт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Field Stop
Вес, г 150

Техническая документация

Datasheet GD100FFX65C5S
pdf, 239 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.